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Intel

Intel avait promis hier à la presse qu'il allait faire une annonce technologique majeure... Chose promise chose due : le fondeur a indiqué que son process de gravure 22nm, qui entrera en service en fin d'année avec les Ivy Bridge, allait adopter des transistors 3D.

Transistor Intel Tri-Gate

Étudiés dans les labos depuis plusieurs années, ces transistors, qu'Intel a baptisé Tri-Gate, ont la particularité d'avoir une porte qui n'est plus posée à plat sur le substrat, mais qui entoure une protubérance du substrat. Cette solution permet d'augmenter sensiblement la surface de contact pour une même finesse de gravure, et ainsi de réduire les courants de fuite au repos (donc de réduire la consommation en idle), ou de réduire la tension de seuil du transistor, ce qui permet une réduction de consommation en charge.

Transistor Intel Tri-Gate

La réactivité des transistors est également améliorée. Selon Intel, cette technologie permettra d'augmenter la vitesse de 18% à 37% selon la tension de fonctionnement, tandis que pour une même vitesse, il sera possible de réduire la tension de 0.2V par rapport à un transistor classique. Les gains seront donc nettement plus élevés que lors du passage de 45 à 32nm, où la vitesse n'avait progressé que de 14 à 22%.

Même si les premiers processeurs qui bénéficieront de cette nouvelle technologie seront les Ivy Bridge, qui remplaceront les actuels Sandy Bridge dans les PC, il y a fort à parier qu'Intel propose assez rapidement des SoC pour smartphones et tablettes exploitant les transistors Tri-Gate. En effet, sur ces marchés, Intel est malmené face aux processeurs ARM à cause de la consommation excessive de ses puces, et une technologie permettant une forte baisse de consommation est donc clairement la bienvenue.

Posté par Matt le 05/05/2011 à 13h41
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Source : Hardware.fr

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