Moins d'un an après la commercialisation de sa mémoire flash gravée en 25nm, IMFT (une joint-venture entre Intel et Micron) vient d'annoncer préparer une nouvelle génération de mémoire flash NAND, gravée en 20nm.
D'une capacité de 8 Go, la première puce adoptant cette finesse de gravure n'occupe plus que 118mm² sur un wafer de silicium, contre 167mm² pour son équivalent en 25nm. Le gain en surface est donc de près de 30%, ce qui devrait se traduire par une baisse de prix du même ordre.
Par ailleurs, le fondeur a annoncé que cette nouvelle finesse de gravure devrait permettre d'atteindre les mêmes durée de vie qu'en 25nm, soit entre 3000 et 5000 cycles écriture-effacement pour les mémoires MLC à 2 bits par cellule. Enfin, ces nouvelles puces étant très proches des puces 25nm, leur adoption ne devrait nécessiter que des modifications mineures des produits les utilisant. Elles pourraient donc se répandre rapidement dans les produits à base de mémoire flash.
La fabrication débutera dans l'usine de Lehi (Utah). Intel et Micron adapteront ensuite les usines de Manassas (Virginie) et de Singapour à cette nouvelle finesse, au fil de la hausse de la demande.
Posté par Matt le 18/04/2011 à 14h51
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Source : PCWorld
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