Dans les prochaines années, nous allons probablement vivre de gros changement dans le secteur des mémoires, avec l’émergence de nouveaux types de mémoire capables d'offrir des performances proches de celles de la RAM, tout en étant non volatiles, comme la flash. IBM va apporter sa part à cette évolution, avec des progrès intéressant dans les mémoires à changement de phase (PCM).
En effet, alors que le géant estime que les premières générations de ces mémoires basées sur le changement d'état de la matière les constituant ne seront largement adoptées que dans cinq ans, ses chercheurs travaillent déjà sur une seconde génération, qui devrait être introduite dans cinq ans et qui promet une densité quadruplée, en stockant quatre bits par cellule au lieu d'un seul. Avec une telle densité, les mémoires PCM arriveraient à une densité du même ordre que celle de la flash, tout en gardant de bien meilleurs performances (mais en étant plus lentes que les PCM classiques) et une endurance très supérieure, quasiment au niveau de celle de la RAM.
Cerise sur le gâteau, les PCM devraient également être suffisamment économiques pour s'imposer rapidement dans tous les appareils électroniques, des plus petits appareils mobiles jusqu'aux plus gros calculateurs. Elles devront toutefois faire leurs preuves face aux autres nouveaux types de mémoire, aux caractéristiques assez similaires : MRAM, FeRAM...