La mémoire flash NAND utilisée actuellement dans les SSD offre des performances exceptionnelles par rapport aux disques durs, mais sa marge de progression est déjà bien entamée, d’autant plus que chaque génération est généralement synonyme de diminution de l’endurance. Plusieurs technologies sont donc sur les rangs pour succéder à la flash NAND.
On connaissait déjà la FeRAM, la ReRAM, la MRAM, la PRAM, et il faudra désormais aussi compter sur la 3D XPoint (Crosspoint) qu’Intel et Micron (maison mère de Crucial) viennent de dévoiler. Comme toutes les autres alternatives à la mémoire flash NAND, la 3D XPoint est une mémoire de type RAM, c’est-à-dire que chaque mot mémoire peut être adressé indépendament, gage d’excellents temps d’accès en aléatoire, alors que sur une flash NAND les accès se font par pages de plusieurs Ko (avec une tendance à la hausse au fil des générations, actuellement 8 à 16 Ko sur la plupart des flash disponibles). Il n’est en outre pas nécessaire d’effacer une cellule avant de l’écrire.
Mais contrairement à notre bonne vieille DRAM, et, là encore, comme les FeRAM, ReRAM, etc… la 3D XPoint est une mémoire RAM non volatile, ce qui permet de l’utiliser comme stockage de masse : elle peut conserver les données sans avoir besoin d’être alimentée.
Les temps d’accès de cette mémoire 3D XPoint seraient de l’ordre de 1000 fois inférieurs à ceux de la flash NAND, soit à peine 10 fois plus que de la DRAM, tout en consommant moins que la flash NAND.
Ces mémoires seront en outre bien plus denses que les DRAM (et à priori, plus denses que les autres alternatives à la flash) d’un facteur 10, avec en plus la possibilité d’empiler les couches avec une structure 3D pour gagner encore en densité, et donc logiquement réduire le coût de production, qui est souvent étroitement lié à la surface des puces.
Intel et Micron ont malheureusement donné assez peu de détails sur le fonctionnement de ces mémoires, qui serait basé sur l’utilisation de nouveaux matériaux dans les cellules, l’état 0 ou 1 étant commandé par des changements de propriété de ces matériaux, au lieu de le stocker sous forme de charges électriques sur les flash NAND.
Une bonne nouvelle n’arrivant jamais seule, ces nouvelles mémoires très prometteuses vont arriver dès cette année pour ceux qui voudraient les évaluer et concevoir des produits les utilisant, tandis que la commercialisation devrait intervenir dès l’année prochaine, avec des puces à deux couches d’une capacité totale de 128 Gbit (16 Go). Le prix n’a malheureusement pas encore été communiqué, mais Intel et Micron ont évoqué des utilisations grand public, ce qui laisse supposer que le tarif sera relativement raisonnable.